Logo
გაძლიერებული ძებნა
«    ივნისი 2018    »
ორსაოთხუპაშაკვ
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
 
Advertisement on this site
არქივი

იანვარი 2018 (2)
დეკემბერი 2017 (2)
ნოემბერი 2017 (1)
მაისი 2017 (3)
აპრილი 2017 (1)
მარტი 2017 (5)
Datalife Engine
კატეგორიები
პოპულარული
გამოკითხვა
რა უფრო პრიორიტეტულია თქვენთვის რომ გაკეთდეს სვირში

გზის მოასფალტირება
ელექტრო სისტემის მოწესრიგება
გაზიფიცირება
წყლის გაყვანა
სხვა



ლელა ხიდაშელის ბლოგი
აირმაქსი
რეკლამა
Advertise on this site
navigator.ge
როგორ მზადდება ინტელის პროცესორები ყველას გაინტერესებთ ალბათ, თუ როგორ მზადდება თქვენს კომპიუტერებში არსებული პროცესორები და მათი კრისტალები, რომლებშიც ასობით მილიონი ტრანზისტორია ერთმანეთთან დაკავშირებული. ეს სტატია ეფუძნება Intel-ის საიტზე გავრცელებულ დოკუმენტაციას და აღწერს პროცესორის წარმოების უმთავრეს ფაზებს, კონკრეტულად კი Nehalem არქიტექტურის წარმოებას.
ქვიშა... სილიციუმის 25%-იანი შემადგენლობით, არის დედამიწაზე ჟანგბადის შემდეგ ყველაზე გავრცელებული ელემენტი. ქვიშა, განსაკუთრებით კი კვარცი შეიცავს დიდი რაოდენობით სილიციუმს, სილიციუმის დიოქსიდის სახით რაც არის ბაზური ინგრედიენტი ნახევრადგამტარების საწარმოებლად. ქვიშის მოპოვების შემდეგ, ხდება სილიციუმის გაწმენდა სხვა ნივთიერებებისგან. გაწმენდა მიმდინარეობს რამდენიმე ეტაპად, მანამ სანამ არ მიიღწევა საკმარისი ხარისხის სილიციუმი ნახევრადგამტარების საწარმოებლად - მას ეძახიან ნახევრადგამტარ სისუფთავის სილიციუმს. ასეთ დამუშავებულ სილიციუმის მილიარდ სილიციუმის ატომეზე მოდის მხოლოდ ერთი უცხო ატომი. გაწმენდის ფაზის შემდეგ იწყება გადნობის ფაზა, გამდნარი სილიციუმისგან მიღებულ მასას ეძახიან მონო კრისტალურ ზოდს. მონო კრისტალური ზოდის დიამეტრი არის 300mm, რაც დაახლოებით 12 ინჩია, მისი სიმძიმე კი 100კგ-ა (=220 პაუნდი) იგი 99.9999%-ით სილიციუმისგან შედგება. მიღებული სილიციუმის ზოდი (300მმ /12 ინჩი) იჭერება სპეციალური ხერხით ფენებად, რომლებსაც ვაფლები ეწოდება (wafers). დაჭრის შემდეგ ვაფლები პრიალდება მანამ, სანამ მათ არ ექნებათ სარკისებრი ზედაპირი. ინტელი ყიდულობს გამზადებულ ვაფლებს სხვა კომპანიისგან. 45nm High-K/Metal ტექნოლოგიის გამო ინტელი იყენებს 300მმ დიამეტრის ვაფლებს. როდესაც ინტელმა დაიწყო ჩიპების წარმოება, იგი იყენებდა 50mm ვაფლებს. 300მმ ვაფლები კი იძლება წარმოების თანხის დაზოგვის საშუალებას.
ლურჯი სითხე ესმევა ვაფლს, რომელიც ტრიალებს ამ პროცესის დროს, რათა სითხე თანაბრად განაწილდეს ზედაპირზე და ამავდროულად იყოს ძალიან თხელი და ძალიან პრიალა. ეს სითხე ქმნის ფოტორეზისტულ შრეს, ეს თითქმის იგივენაირია, რაც გამოიყენება ფოტოფირებში. ამის შემდეგ ვაფლს ფოტორეზისტულ შრესთან ერთად ასხივებენ ულტრაიისფერ შუქს. ქიმიური რეაქცია, რომელიც ხდება შრეზე ულტრაიისფერი შუქის ზემოქმედებით, ძალიან ჰგაქვს რეაქციას ფოტოფირზე მომხდარი რეაქციისა, რომელიც ხდება კამერაზე ღილაკის დაჭერის შემდეგ. ფოტორეზისტული მატერიალის ის ადგილები, რომლებზეც მოხვდება ულტრაიისფერი შუქი, გამოსხივების შემდეგ ხდებიან ხსნადები. ვაფლის ადგილების დასხივება ხდება სპეციალური მასკის საშუალებით. ულტრაიისფერი გამოსხივებით მასკები ქმნიან ჩიპის სხვადასხვა სტრუქტურულ ადგილს. პროცესორის შექმნის დროს ეს ეტაპი მეორდება რამდენიმეჯერ შრეების ერთმანეთზე დადებისას. ლინზა, რომელიც მასკისა და ვაფლის შუაშია ახდენს ულტრაიისფერი გამოსხივების ერთ ადგილზე ფოკუსირებას, რის შემდეგაც შრეზე გამოსახული ანაბეჭდი არის მასკაზე 4-ჯერ პატარა. თითო ასეთი ვაფლიდან ათასი პროცესორი შეიძლება გაკეთდეს. ტრანზისტორი მუშაობს როგორც გადამრთველი, რომელიც მართავს ელექტრონულ მუხტის ნაკადს პროცესორში. ინტელის ინჟინრებმა შემქნეს ისეთი პატარა ტრანზისტორები, რომ ნემსის წვერზე შეიძლება დაეტიოს 30 მილიონი ტრანზისტორი! ულტრაიისფერი დასხივების შემდეგ ლურჯი შრის ის ნაწილები, რომლებზეც სხივი დაეცა მთლიანად იხსნებიან სპეციალური სითხის მეშვეობით. ბოლოში კი რჩება მასკით დაფარული შრის ადგილები და აქედან იწყება ტრანზისტორების, მათი მაკავშირებლების და პროცესორის სხვა ელექტრული ჯაჭვების კეთება. ფოტორეზისტული შრე იცავს ვაფლის იმ ადგილებს, რომლებსაც არ უნდა მოხვდეთ ქიმიკატები, ხოლო დარჩენილ ადგილებს ხვდებათ ქიმიკატები, რის შედეგადაც დაუფარავი ვაფლის ნაწილი ირეცხება. ქიმიკატებით გრავირების შემდგომ ეტაპზე ხდება ლურჯი ფოტორეზისტული შრის მოშორება. რის შემდეგადაც რჩება საჭირო ფორმა. ამის შემდეგ ახლიდან ედება ფოტორეზისტული ლურჯი ფენა ვაფლს, და ახლიდან ხდება მასკის მეშვეობით ულტრაიისფერი დასხივება. შემდეგ ფოტორეზისტული შრე კიდევ ირეცხება და იწყება ახალი ეტაპი, რომელიც იონის იმპლანტაციაა. ამ ეტაპზე ვაფლის ზოგიერთი ადგილი ივსება იონებით, რის შედეგადაც სილიციუმი იცვლის თავის ფიზიკურ თვისებებს და აძლევს პროცესორს საშუალებას მართოს ელექტრული მუხტის ნაკადები. იონების ჩაშენების დროს, სილიციუმის ვაფლის ღია ადგილები იბომბება იონებით. იონები იჭრებიან სილიციუმში და მაშინ ხდება სილიციუმის გამტარობის შეცვლა. იონები ვაფლს ხვდებიან ძალიან დიდი სიჩქარით, ელექტრული ველი იონებს ასწრაფებს 300 000 კმ/ს-მდე!

იონების იმპლანტაციის შემდეგ ფოტორეზისტული შრე ცილდება და მატერიალი, რომელზეც მოხდა იონის იმპლანტაცია (მწვანე) აქვს უცხო ატომები. ტრანზისტორი უფრო და უფრო უახლოვდება დასრულებულ სახეს, ტრანზისტორზე წასმულ ინსულაციის შრეზე (იისფერი) კეთდება სამი ნახვრეტი, რომლებშიც იქნება გატარებული სპილეძი, რითაც ტრანზისტორები დაუკავშირდებიან ერთმანეთს. ამ ეტაპზე ვაფლებს უშვებენ სპილენძის სულფატში. სპილენძის იონები ჯდებიან ტრანზისტორზე პროცესით, რომელსაც Electroplating ქვია. სპილენძის იონები გადიან დადებითი ელექტროდიდან (ანოდი) ნეგატიური ელექტროდისკენ (კათოდი), რომელიც არის ჩვენი ვაფლი. სპილენძი იონები ედებიან ვაფლის ზედაპირს თხელი შრის სახით. ამის შემდეგ ხდება გაპრიალება და ზედმეტი სპილენძი შორდება ზედაპირს. მეტალის წასმა ხდება რამდენიმე ეტაპად, რაც საშუალებას იძლევა სხვადასხვა ტრანზისტორის დაკავშირებისა (შეიძლება შევადაროთ მავთულების შეერთებას). ასეთი შეერთებების გადანაწილებით ხდება პროცესორის არქიტექტურის შექმნა, ეს უკვე შემქმნელების ჯგუფზეა დამოკიდებული, გააჩნია რომელი ჯგუფი რომელ პროცესორს აკეთებს (მაგალითად Intel Core i7). იმის მიუხედავად, რომ პროცესორი ძალიან თხელი ჩანს, იგი შეიძლება შედგებოდეს 20-ზე მეტი შრისგან. თუ თქვენ კარგად დააკვირდებით ჩიპის გადიდებულ სურათს, აღმოაჩენთ ძალიან რთულ შეერთებების და ტრანზისტორების სისტემას, რაც ძალიან ჰგავს ფუტურისტულ მრავალშრიან ტრასის სისტემას.
გამზადებული ვაფლის ნაწილი გადის ფუნქციონალობის პირველ ტესტს. ამ ეტაპზე სატესტო სინჯებს აკეთებენ ყველა ჩიპზე, რის შედეგადაც ფასდება ჩიპის სიგნალები და ხდება ამ სიგნალების შედარება სწორ სიგნალებთან. მას შემდეგ, რაც გაირკვევა, რომ ვაფლი შედგება საკმარისი მუშა ჩიპებისგან, იგი იჭრება ნაწილებად (კრისტალებად). კრისტალები, რომლებმაც გაიარეს ტესტები, გადავლენ შეფუთვის შემდეგ ეტაპზე, ცუდი კრისტალები წუნდებულ კრისტალებს უერთდებიან. რამდენიმე წლის წინ ინტელმა გამოუშვა ბრელოკები გაფუჭებული კრისტალებით. პროცესორის PCB, კრისტალი და სითბოს გადამანაწილებელს აერთებენ პროცესორის დასრულებული სახის მისაღებად. მწვანე PCB უზრუნველყოფს მექანიკურ და ელეკტრონულ ინტერფეისს პროცესორისთვის. ხოლო სითბოს გადამანაწილებელი მეტალი პროცესორის ქულერთან ერთად აგრილებს კრისტალს. მიკროპროცესორს შეიძლება დავარქვათ დედამიწაზე ყველაზე რთული საწარმოო პროდუქტი. ფაქტიურად წარმოება ხდება რამდენიმე ასეული ნაბიჯით, მაგრამ ამ სტატიაში მხოლოდ რამდენიმე მნიშვნელოვანი ნაბიჯია აღწერილი. ფინალური ტესტის დროს, პროცესორები მოწმდებიან მთავარ მახასიათებლებზე მათ შორისაა სითბოგამტარობა და მაქსიმალური სიხშირე. ტესტების შემდეგ პროცესორები ნაწილდებიან სხვადასხვა დაფებზე, ინგლისურად ამ ეტაპს binning ეწოდება. ამ ეტაპზე ირკვევა პროცესორის სტოკ სიხშირე და ხდება მათი მარკირება, რის შემდეგაც პროცესორები იყიდება სხვადასხვა სპეციფიკაციებით. გამზადებული და გატესტილი პროცესორები იყიდება ან ყუთებით სისტემების ამწყობთათვის, ანდა მაღაზიებისთვის OEM შეფუთვით.

ავტორი: ოთო კემულარია
 
 (ხმები: 0)


მსგავსი ინფორმაცია


�������� ���� ������ ���������
������� ���
საიტები
ვალუტის კურსი
თბილისის დრო
რადიო იმერი
>
ამინდი
დიზაინი რედაქტირებულია ბესიკი წაქაძის მიერ